SJT 11395-2009 半导体照明术语
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ID： |
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文件大小(MB)： |
7.99 |
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页数： |
29 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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ICS 31.260,L50,备案号:,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11395—2009,半导体照明术语,Semiconductor I ighting terminology,2009-11-17 发布2010-01-01 实施,中华人民共和国工业和信息化部发布,SJ/T 11395—2009,前言……—一…一…,范围…………..…二,2规范性引用文件,基本术语ー…,LED类型..…,外延.,-++- i_L,封装.,光度量”……,色度量..,中文索引.,英文索引………,附录A （资料I 口单位,(01シ,&NDA劭,I,SJ/T 11395—2009,刖 百,」本标准的附录A为资料性附录「,一:本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归ロ,.本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草,二.本标准起草单位:中国光学光电子行业协会光电器件分会、深圳市淼浩高新科技开发有限公司、厦,门华联电子有限公司,工业和信息化部电子工业标准化研究所,..本标准参加单位:见附录A,:?本标准主要起草人:胡爱华、吕毅军、刘秀娟、彭万华,SJ/T 11395—2009,半导体照明术语,1范围,本标准规定了半导体照明基本名词与术语的定义,本标准确定的术语适用于半导体照明相关的生产、科研和贸易等方面的应用,2规范性引用文件,IDT),的引用文件,其随后的修改,大成协诙的各方研究是否,0747-5:1992.,邑,)0050 (845)1,洞）集成电路（I,粉,学,半导,半导体,中国,华导,下列文件中的条款通过本标滞的引,单（不包括勘误的内容）且,可使用这些文件的最新. 日期的引用文件,其最新,GB/T,GB/T,:GB/T,GB/T,GB/T,GB/T,GB/T,GB/T,GB/T,IDT),2900. 32—0,2900. 65,290〇, 6,5838,13963,1411,1426,1560,1565,3术语和定义,引用文件中确,3. 1基本术语,3.1. 1,半导体 semi conduct,语电力半?导体器件,两种载流子引起的总电导率,条件改变而变化,[GB/T 2900.66—2004,定义52172-01],3. 1.2,半导体器件 semigondciGtor device,其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件,种材料中的载流子浓度随外部,注，该定义包括基本痔性仅部分地由于载流ア在半导体中流动产生的器件,从规范的角度考虑这些器件仍被认为是,半导体器件.?」;,LGB/T 2900. 66—2004（定义521-04 01],3.1.3 'ニ1,[半导体]二极管 [semiconductor] diode,具有非对称的电压电流特性的两リ!出端半号体器件,注,除非另有说明,此术语通常表示具有典型单ーPN结电压电流特性的粉件.,SJ/T 11395—2009,[GB/T 2900. 66—2004?定义521 -04-03] ■ ■ 晻 ■ ??二丒 ???. ?ー」 ..,发光二极管 Hght-emitting diode,LED - . .,当被电流激发时通过传导电广和空穴的再复合产生自发藕射而发出非稲F光的一种车导体二极管,3.1.5 ', . 1 ?; ■ ■ .. : ■ . ; . ?丒一 , ■,.,一 半导体照阴 semiconductor lighting,二 釆用‘发光二极管作为光源的照明方式,二316;ラ,固态照明. solid state I i ght i ng,SSL,.采用固体发光材料（如发光二极管LED、场致发光风、有机发光OLED等）为光源的照明方式,ニ二 3. 1.ア二,.：,衬底 substrate,二:用デ外延沉积、扩散、离子注入等后序匸艺操作的基体单晶片,"二:：[GB/T. 14264—1993,定义3, 7],ヽ:：，3.1,8：; 「,-3 ■,外.延片 epitaxial wafer,:丒二 用加延方法制备的具有电致发光功能的结构片,3.1.9,发光二极管芯片 light-emitting diode chip,具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片,< -3.1.10,LED 模块 1ED module,丒由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在ー起,带有连接接口并具有.发光功能且,不可拆卸的整体单元,とン?二三三,二:: LED 组件 LED d iscreteness,- 由LED或LED模块和电子元器件组合在ー起,具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元:,3.1.12 —,内量子效率 internal quantum efficiency,有源区产生的光子数与所注入有源区的电子空穴对数之比,.二::3.1,出光效率 light extraction efficiency,逸出LE0结构的光子数与有源区产生的光子数之比,3. 1,14 —二二;三，]二;::二[;,注入效率 injection efficiency,注入LED的电子ー空穴对数与注入有源区的电子一空穴对数之比…：,3.1.15 . "、「丒ニニ丒':「ニ.;「ア,外量子效率 externa I quantum efficiency 二:セー二.一 「ニニ:「,逸出LED结构的光子数局注入LED的电子ー空穴对数之比,等于内量子效率与出光效率和注入效率的,乘积,3. 2 LED类型,SJ/T 11395—2009,3.2. 1,单色光 LED monochromatic I ight LED,发出单一颜色光的LED ……
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